8英寸「单面式硅外延性繁殖炉』
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机电研发的8英寸单片式硅外延生长炉,可兼容6英寸、8英寸硅晶片生长,结构可靠稳定,有较好的膜厚和电阻均匀性
6英寸「氢氟酸处理硅外延性炉』
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机电研发的6英寸碳化硅外延炉,可实现生长过程自动化控制,有较好的薄膜均匀性,兼容4英寸、6英寸外延片生长,结构简单,单片成本低
6英寸「旋转式无定形碳硅外延性炉』
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机电研发的6英寸立式碳化硅外延炉,可实现对4英寸、6英寸晶圆外延的生长,成膜质量优,工艺稳定性好,生产效率有效提升
6英寸「双片式增碳硅外加炉』
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机电研发的6英寸双片式碳化硅外延炉,与单片设备相比,单台产能增加70%,单片运营成本降幅可达30%以上
8英寸「炉管』
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机电研发的8英寸炉管,可同时对150片天博
进行加工,满足多晶硅、退火等工艺需求,设备自动化程度高,可对接工厂MES系统
12英寸「炉管』
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机电研发的12英寸炉管,可同时对125片天博
进行加工,满足多晶硅、退火等工艺需求,设备自动化程度高,可对接工厂MES系统
先进制程及功率半导体装备(部门类天博
)
以CVD技术为核心,应用于先进制程、功率半导体的外延装备